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三星5nm,4nm,3nm工艺分析和新型晶体管架构

来源:365bet官网体育投注 作者:365bet娱乐登陆 时间:10-19 07:31:41 点击:
其中,4纳米工艺将继续使用现有的FinFET制造技术,并将在高通Snapdragon 845和三星Exynos旗舰芯片中使用。
但是,在3 nm工艺节点,三星放弃了FinFET技术,并开始转向GAA纳米技术。
详细内容如下。
7LPP(7nmLowPowerPlus)
三星在7LPP工艺中首次使用EUV EUV光刻技术,并计划于今年晚些时候开始生产。
主要IP正在开发中,将于明年上半年完成。
5LPE(5nmL低功耗早期)
继续基于7LPP流程进行创新和改进。这可以进一步减小芯片的核心面积并产生超低能耗。
4LPE / LPP(4nLowPowerEarly / Plus)
业界非常成熟和成熟的FinFET立体晶体管技术的最新应用,再结合以前的5LPE工艺的成熟技术,可实现更小的芯片面积,更高的性能以及更快的性能和更快的生产速度。客户也可以方便地进行更新。
3GAAE / GAAP(3nmGate-All-AroundEarly / Plus)
全能门是环绕声门。与当前的三门FinFET Tri-Gate设计相比,晶体管的基础结构已经过重新设计,超出了当前技术的物理和性能限制,改善了门控制并大大提高了性能。。
三星的GAA技术称为MBCFET(多桥沟道FET),是使用纳米层器件开发的。
三星的技术似乎主要用于生产低功耗设备(例如移动处理器),但在高性能领域,三星已准备好用于大型数据中心,人工智能和机器学习。还具有ML,7LPP和后续流程:可以服务并拥有完整的平台解决方案。
例如,三星设计2的100 Gbps高速+ SerDes(串行转换解串器)。
5D / 3D异构包装技术。
对于5G和汽车网络领域的低功耗微控制器(MCU)和下一代网络设备,三星还提供了完整的交钥匙平台解决方案,从28 / 18nmeMRA / RF到10 / 8nm FinFET。
同时,三星在补充讲话中表示,“ KeyIP”将在2019年上半年交付。这意味着已经从三星订购了客户的处理器芯片,并将于明年交付。
7纳米芯片电话何时可用?
关于7纳米制程,到今年年底是否会有基于三星7纳米制程芯片的手机?
高通公司的下一代Snapdragon 855芯片也将交付给三星进行生产,但可能性可能不大,但是即使有大量生产,它也将在今年大规模生产后立即发布。不要指望在今年第四季度末之前能做到这一点。
当然,三星的7纳米工艺向OEM开放,所有芯片制造商都可以订购,包括他们自己的Exynos芯片。
但是,华为麒麟芯片和Apple A芯片等产品以前可以使用某些制造商的7纳米芯片。
据报道,华为的下一代麒麟980芯片是基于7纳米工艺生产的,并将于今年晚些时候发布。同时,苹果公司的A12似乎已经开始制作原型。台积电生产的这7纳米芯片可能相等或更好,三星此前已进入市场。
实际上,上述处理技术对普通手机用户没有意义。三星只是简单地告诉我们,现有的工艺技术可以在几代产品中继续使用,并且未来最先进,最小的工艺都是可能的。
那么什么时候这些新工艺技术会出现呢?
如果三星的路线图没有改变,三星将在2019年生产5纳米芯片,在2020年生产4纳米芯片,在2021年生产3纳米芯片。



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